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薄膜晶點(diǎn)形成的原因及消除方法
  瀏覽次數(shù)：6955  發(fā)布時(shí)間：2017年01月09日 15:45:43
[導(dǎo)讀] 由于分子量高，因此，晶點(diǎn)部位聚合物具有較高的熔點(diǎn)#FormatStrongID_2#在熔化時(shí)，熔體具有較高的粘度。晶點(diǎn)部位聚合物在吹膜或流延時(shí)，不能與周圍的同種聚合物相互均勻分散、混合，并在熔體吹成或流延成薄膜后，先于周圍的同種聚合物凝固。



 1、什么是晶點(diǎn)

 

晶點(diǎn)實(shí)際上是“過度聚合物”，即：“晶點(diǎn)”部位聚合物的分子量要高于周圍同種聚合物的分子量。由于分子量高，因此，晶點(diǎn)部位聚合物具有較高的熔點(diǎn)#FormatStrongID_2#在熔化時(shí)，熔體具有較高的粘度。晶點(diǎn)部位聚合物在吹膜或流延時(shí)，不能與周圍的同種聚合物相互均勻分散、混合，并在熔體吹成或流延成薄膜后，先于周圍的同種聚合物凝固。因此，形成“箭頭狀”或“球狀”過度聚合物的凝固體，習(xí)慣上被稱為“晶點(diǎn)”。

 

2.晶點(diǎn)產(chǎn)生的原因

 

物料原因

 

(1)聚合物中有殘留的催化劑;

 

(2)聚合物熔體粘滯于生產(chǎn)設(shè)備(包括聚合設(shè)備及吹膜設(shè)備)金屬表面，在高溫下，殘留的;

 

(3)催化劑對聚合物繼續(xù)進(jìn)行催化聚合作用，因此形成過度聚合物;

 

聚合物中所含的氧，也會使聚合物熔體產(chǎn)生晶點(diǎn)(加入一定數(shù)量的抗氧劑，有防止氧對晶點(diǎn)的產(chǎn)生作用)。

 

工藝原因

 

(1)由聚合工藝所造成的晶點(diǎn)。不同的聚合設(shè)備及工藝，對晶點(diǎn)的生成有不同的影響。例如：一些名廠原料，因生產(chǎn)技術(shù)高，聚合物中殘留的催化劑含量低，設(shè)備結(jié)構(gòu)好，因此，原料本身所含的晶點(diǎn)少。但一些品質(zhì)較差的原料，因生產(chǎn)技術(shù)及設(shè)備問題，造成原料本身所含的晶點(diǎn)多。

 

(2)由工藝所造成的晶點(diǎn)。例如：好的成型設(shè)備所制備的薄膜，晶點(diǎn)少。差的設(shè)備所制的薄膜，晶點(diǎn)多。

 

3.減少或基本消除晶點(diǎn)的方法

 

綜上所述，在薄膜吹制工藝中消除晶點(diǎn)，主要有兩個(gè)途徑：

 

(1)提高加工設(shè)備的濾網(wǎng)細(xì)度(例如：將濾網(wǎng)改為120目，甚或150目-用于超薄膜)。

 

(2)在生產(chǎn)過程中添加表面潤滑劑，使被加工的聚合物熔體不能粘滯于吹膜設(shè)備表面。

 

從生產(chǎn)工藝上來說，雖使用較細(xì)的濾網(wǎng)可濾除大部份聚合物中的原生晶點(diǎn)，同時(shí)亦可濾除設(shè)備螺桿及炮筒部位因聚合物粘滯于螺桿表面所造成的晶點(diǎn)，但問題是設(shè)備背壓因此提高，對某些陳舊成型設(shè)備來說，難以做到。因此，依靠勤換濾網(wǎng)，也能對控制晶點(diǎn)提供幫助。

 

到目前為止，比較有效的晶點(diǎn)控制手段是采用高性能的氟工藝助劑。高性能氟工藝助劑，由于它的聚合物分子具有高極性的特點(diǎn)，使它能從烯烴類聚合物(例如：PE，PP)熔體中迅速溢出，并粘附于設(shè)備的金屬表面，從而消除了聚合物熔體在設(shè)備金屬表面的粘滯層。

 

因此，聚合物熔體能持續(xù)勻速地被推動前進(jìn)，消除了粘滯于金屬表面的聚合物熔體過長時(shí)間受熱的現(xiàn)象，防止了殘留的催化劑對聚合物的持續(xù)聚合，最終防止了在薄膜成型加工工藝中所產(chǎn)生的晶點(diǎn)。

 

另一方面，由于氟工藝助劑也能粘附于濾網(wǎng)表面，使聚合物熔體流經(jīng)濾網(wǎng)的阻力下降。因此，氟工藝助劑的使用，為采用較細(xì)的濾網(wǎng)提供了工藝條件。而較細(xì)濾網(wǎng)的采用，對濾除由聚合物生產(chǎn)時(shí)所產(chǎn)生的原生晶點(diǎn)，是重要的工藝措施。